池网科技 一、零带隙和间接带隙的区别？
零带隙，指没有隙缝。 间接带隙，指有些时候带点缝隙。
二、氧化锡是直接带隙还是间接带隙？
直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量。
间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。电子在k状态时的动量是（h/2pi）k，k不同，动量就不同，从一个状态到另一个必须改变动量。
所以氧化锡属于直接带隙。
三、带隙基准源，什么是带隙基准源？
Bandgap voltage reference，常常有人简单地称它为Bandgap。最经典的带隙基准是利用一个与温度成正比的电压与一个与温度成反比的电压之和，二者温度系数相互抵消，实现与温度无关的电压基准，约为1.25V。因为其基准电压与硅的带隙电压差不多
四、斜齿轮顶隙和侧隙怎样计算？
斜齿轮的顶隙是按顶隙系数*模数而定的 侧隙是按齿轮精度而定的。斜齿轮（helical gear）不完全是螺旋齿轮，应该说，螺旋齿轮是两个斜齿轮的啮合方式，由它们在空间传递力的方向不同来区分。
普通的直齿轮沿齿宽同时进入啮合，因而产生冲击振动噪音，传动不平稳。
五、顶隙计算公式？
计算公式：
齿顶高 ha=ha* m
齿根高 hf=(ha*+c*)m
两齿轮啮合时，总是一个齿轮的齿顶进入另一个齿轮的齿根，为了防止热膨胀顶死和具有储成润滑油的空间，要求齿根高大于齿顶高。为此引入了齿顶高系数和顶隙系数。齿顶高系数ha* =ha/m ，顶隙系数C*=C/m
一般正常齿：ha* =1； C*=0.25 短齿：ha* =0.8； C*=0.3
六、cmos带隙基准电压？
带隙是导带的最低点和价带的最高点的能量之差。也称能隙。带隙越大，电子由价带被激发到导带越难，本征载流子浓度就越低，电导率也就越低
带隙主要作为带隙基准的简称，带隙基准是所有基准电压中最受欢迎的一种，由于其具有与电源电压、工艺、温度变化几乎无关的突出优点，所以被广泛地应用于高精度的比较器、A/D或D/A转换器、LDO稳压器以及其他许多模拟集成电路中。带隙的主要作用是在集成电路中提供稳定的参考电压或参考电流，这就要求基准对电源电压的变化和温度的变化不敏感。
带隙基准技术基本原理
基准电压源已成为大规模、超大规模集成电路和几乎所有数字模拟系统中不可缺少的基本电路模块。基准电压源可广泛应用于高精度比较器、A/D和D/A转换器、随机动态存储器、闪存以及系统集成芯片中。带隙基准电压源受电源电压变化的影响很小，它具备了高稳定度、低温漂、低噪声的主要优点
七、fto的带隙值？
SnO2的带隙值是一种对可见光透明的宽带隙氧化物半导体，禁带宽度3.7-4.0eV,具有正四面体金红石结构。在掺了氟之后，SnO2薄膜具有对可见光透光性好、紫外吸收系数大、电阻率低、化学性能稳定以及室温下抗酸碱能力强等优点。FTO导电玻璃为掺杂氟的SnO2透明导电玻璃(SnO2:F)，简称为FTO。FTO玻璃被作为ITO导电玻璃的替换用品被开发利用，可被广泛用于液晶显示屏，光催化，薄膜太阳能电池基底、染料敏化太阳能电池、电致变色玻璃等领域。
八、光子带隙的条件？
条件是光子带隙光子晶体光纤。
它对包层中空气孔排列的周期性要求比较严格。
光子带隙是指一种介质在另一种介质中周期排列所组成的周期结构。
所谓的光子带隙是指某一频率范围的波不能在此周期性结构中传播，即这种结构本身存在“禁带”。这一概念最初是在光学领域提出的，现在它的研究范围已扩展到微波与声波波段。
九、光学带隙影响因素？
低溅射功率下,与键角畸变有关的结构无序是导致光学带隙变窄的主要因素。
提高溅射功率,薄膜的局域化参数N ( EF)?γ?3一直减小,说明低温下薄膜中电子跳跃导电能力减弱。 随着氮气分压的增加,一部分C与N结合导致薄膜中的N含量先增加而后趋于饱和。
掺入的N更倾向于与C形成各种非芳香环状结构的CN相,如N–sp3C、C≡N和N–sp2C等链状和闭合环状结构。
十、计算机视觉常用哪些机器学习算法？
常用的聚类分类算法都有用到例如神经网络、支持向量机等时下最火的算法还是deep learning